PLC光無源器件技術(shù)的現(xiàn)狀分析
平面光波導PLC是英文Planar Lightwave Circuit的縮寫,是平面光波導技術(shù)。早在幾年前,平面光波導技術(shù)就能夠使光子在晶圓中傳輸,并已在WDM系統(tǒng)中廣泛應用,主要是陣列波導光柵(AWG)復用/解復用模塊。近日,河南仕佳光子科技有限公司安俊明博士發(fā)表了《PLC光無源器件的現(xiàn)狀及展望》,針對PLC光無源器件的技術(shù)現(xiàn)狀作了闡述。
PLC光無源器件技術(shù)的第一類
第一類是波分復用器-平面光波導器件,其中又分為刻蝕衍射光柵EDG、微環(huán)諧振器解復用器、陣列波導光柵AWG和光子晶體解復用器這幾大類。
安博士還介紹了AWG的工作原理,其中AWG芯片是主干網(wǎng)、數(shù)據(jù)中心、光互連的關(guān)鍵芯片。不同材料系的AWG性能參數(shù)也不同,其中二氧化硅波導的折射率差為0.75%,波導尺寸為6 mm′6mm,彎曲半徑為5mm,40通道芯片尺寸為45mm′20mm,最大的優(yōu)點是,單獨使用的損耗低;SOI波導的折射率差為40%,波導尺寸為500nm′200nm,彎曲半徑為5mm;16通道芯片尺寸為580mm′170mm,屬于集成使用,亞微米加工,因此耦合難度大;InGaAsP/InP波導的尺寸為2.5 m m′0.5mm,彎曲半徑為500mm,屬于集成使用,損耗稍高,但是價格貴。
硅基二氧化硅AWG需要克服三大難點:均勻的材料生長、相位控制以減少串擾及退火應力補償,其最大通道數(shù)高達512通道。
Si納米線波導AWG的波導尺寸在300nm-500nm,Ghent大學制備出了8通道、400GHz硅納米線AWG,尺寸僅為200mm′350mm,器件插損僅-1.1dB,串擾為-25dB。
硅納米線AWG關(guān)鍵工藝在于電子束曝光或深紫外曝光和ICP干法刻蝕,需要克服三大難點:EB光刻密集納米線波導均勻性、EB寫場拼結(jié)問題(斷開或錯位) 及EB光刻、ICP刻蝕側(cè)壁光滑性。
64通道、50GHz InP AWG的禁帶為1.05 mm,GaInAsP為0.5 mm厚,上面覆蓋1.5 mm厚的InP。深脊型波導寬度為2.55 mm,刻蝕深度為4.5 mm。NTT采用深脊型結(jié)構(gòu),實現(xiàn)偏振無關(guān),其尺寸為3.6mm′7.0mm;輸入/輸出波導展寬為4 mm;輸出波導間隔為25 mm;陣列波導彎曲半徑為500 mm;輸入/輸出波導彎曲半徑為250 mm;插損在14.4-16.4dB間,串擾小于-20dB。
PLC光無源器件技術(shù)的第二類
第二類為PLC光分路器,屬于光纖到戶的核心光子器件。PLC平面波導型光分路器采用高度集成的制備技術(shù),分路數(shù)最多達128路,采用光刻、生長和干法刻蝕工藝,在石英襯底上形成掩埋光波導,實現(xiàn)光功率分配,是光分路器生產(chǎn)的最佳技術(shù)。目前掌握這種技術(shù)的公司,國外有NTT、AiDi、Hitachi Cable、Wooriro、PPI、Fi-Ra,Neon、Corecross、QNIX、Enablence。還有一種采用玻璃基離子交換制備技術(shù),該技術(shù)的工藝簡單、設備投資少,國外有法國的Teem Photonics公司和以色列ColorChip公司,國內(nèi)曾有報道浙江大學也掌握了該技術(shù)。
目前,PLC光分路器晶圓制備工藝流程分6大步驟共19個工序。依次為:芯區(qū)生長-退火、生長硬掩膜、光刻(涂膠、前烘、曝光、顯影、后烘)、刻蝕硬掩膜、去光刻膠、刻蝕芯區(qū)、去硬掩膜、清洗、生長上包層、退火(重復多次)。
PLC光無源器件技術(shù)的第三類
第三種類型為無源與有源功能器件混合集成,有AWG與可調(diào)諧衰減器(VOA)集成、AWG與熱光開關(guān)集成的光上下路器(OADM)這兩種集成方式。
二氧化硅平臺混合集成有LD倒裝和PD側(cè)面貼裝兩種方式。而封裝模塊-片上倒裝結(jié)構(gòu)屬于SOI平臺混合集成,有LD倒裝和PD表面貼裝兩道工序,比二氧化硅平臺少一個工序。
混合集成工藝-LD倒裝焊采用兩側(cè)臺階標記的方式,SOI平臺混合集成LD倒裝
混合集成工藝-PD表面貼裝,采用面探測器,NTT以前用波導型探測器。相比較兩種探測器,面探測器對準容差大,簡化了工藝。
PLC光無源器件技術(shù)的第四類
第四種類型為SOI納米線AWG與Ge探測器單片集成,屬于硅基器件混合、單片集成。
PLC光無源器件技術(shù)的第五類
第五種類型為InP基單片集成(PIC),其中Infinera公司是全球PIC集成芯片代表。InP基單片集成Key Innovation PIC是技術(shù)上的創(chuàng)新,屬于有源光子的集成,具有空間小、能耗低、可靠性高的特點,能夠?qū)崿F(xiàn)數(shù)字帶寬,帶來部署和管理的靈活性。
目前光子集成實現(xiàn)了傳送IP化,單蝕刻,大規(guī)模InP光子集成、每芯片100Gb/s WDM系統(tǒng)容量、一對PIC集成了62個分離Tx&Rx
Infinera InP基集成實現(xiàn)了光纖耦合次數(shù)減少30倍,空間占用減少3倍,并且功率消耗減少50%,相對而言,優(yōu)勢明顯。
目前,國內(nèi)光通信產(chǎn)業(yè)鏈在系統(tǒng)集成這一環(huán)節(jié)實力雄厚,其中華為、中興、峰火均已躍居世界前列。但是不可否認的是,我國在上游芯片這一塊的技術(shù)比較弱,只有低端有源可以自產(chǎn),高端芯片全部依賴進口。國內(nèi)在模塊這一環(huán)節(jié)的實力算是比較強,以光迅昂納等為代表,總體而方屬于經(jīng)組裝為主的封裝大國。眾所周知,光通信產(chǎn)業(yè)鏈的基礎在于芯片,只有掌握了高端芯片集成技術(shù),整個產(chǎn)業(yè)鏈才得以很好的延伸下去。